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北京第三代半导体产业技术创新战略联盟关于团体标准T/CASAS 034《用于软开关电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》等三项标准立项的通知

2023-11-24 13:53:55来源:北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 关键词:半导体软开关电路阅读量:34377

导读:《碳化硅衬底晶体生长用石墨构件纯度测定方法》、《用于软开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态电阻测试方法》等三项标准立项获批。
  由联盟成员单位赛迈科先进材料股份有限公司牵头,联合北京北方华创微电子装备有限公司、湖南三安半导体有限公司、山东大学、中国科学院半导体研究所联合提出的《碳化硅衬底晶体生长用石墨构件纯度测定方法》团体标准提案,经CASAS管理委员会投票获得通过,2023年11月20日正式立项,并分配标准编号::T/CASAS 036。
 
  由联盟成员单位浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心牵头,联合英诺赛科(珠海)科技有限公司、纳微达斯(上海)有限公司、杭州士兰微电子股份有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、英飞凌科技(中国)有限公司、矽力杰半导体技术(杭州)有限公司、香港科技大学提出的《用于软开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态电阻测试方法》、《用于第三象限的氮化镓高电子迁移率晶体管动态电阻测试方法》团体标准提案,经CASAS管理委员会投票获得通过,2023年11月20日正式立项,并分配标准编号:T/CASAS 034、T/CASAS 035。
 
  秘书处将向CASAS正式成员发出征集起草单位的通知,组建标准起草小组,请CASAS正式成员关注秘书处邮件。
 
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