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存储器深陷“缺芯之痛” 芯片国产化之路任重道远

2016-10-17 14:08:47来源:中国智能制造网 编辑:未闻花名 关键词:存储器芯片集成电路阅读量:47505

导读:我国一直是集成电路领域大贸易逆差国。为打破“缺芯之痛”,国内多地开始斥巨资布局存储器芯片研发生产领域。
  【中国智能制造网 智造快讯】存储器芯片是智能手机、平板电脑、可穿戴设备等各种智能终端产品不可或缺的关键器件。然而,我国一直是集成电路领域大贸易逆差国。为打破“缺芯之痛”,国内多地开始斥巨资布局存储器芯片研发生产领域。
  
存储器深陷“缺芯之痛” 芯片国产化之路任重道远
 
  在国家政策刺激下,2016年各地纷纷传出加码存储芯片的声音:北京有紫光集团宣布300亿美元做存储器,武汉有武汉新芯准备耗资240亿美元打造存储器基地,合肥放言要打造IC之都,福建晋华也在跃跃欲试。
  
  众声喧嚷中,随着今年下半年长江存储的正式成立,武汉新芯与紫光集团走到了一起。合流背后到底发生了什么?它们的合流又对整个存储产业的发展意味着什么?中国到底该怎样发展存储?
  
  尽管从2016年第二季度起存储器行业的产品价格出现了回升,但是行业整体仍然处于周期性底部的位置,市场主要厂商三星、海力士、美光等在资本开支产能扩张方面仍然较为谨慎,而在智能移动终端需求、数据中心服务器需求以及固态影片需求带动的情况,DRAM和NANDFlash市场均有逐步从供过于求向供给不足转移的趋势,而在这种行业周期性底部有转变趋势的情况下,中国大陆地区的逆周期投资有望推动国内厂商成为市场内崛起的新生力量。
  
  据介绍,存储器芯片是智能手机、平板电脑、可穿戴设备等各种智能终端产品不可或缺的关键器件。然而,我国一直是集成电路领域大贸易逆差国,每年进口额超过两千亿美元,其中,存储器芯片是国内集成电路产业链的主要短板,长期以来市场一直被海外巨头牢牢把握。以动态随机存取存储器和闪存两种主要存储芯片为例,今年季度,DRAM市场93%份额由韩国三星、海力士和美国美光科技三家占据,而闪存市场几乎全部被三星、海力士、东芝、闪迪、美光和英特尔等六家瓜分。
  
  大力发展存储器不仅是市场需求,同时也是信息安全和产业安全的战略需要。存储器产业芯片国产化之路迈出的重要一步芯片国产化是中国政府在信息安全自主可控政策领域的实践领域之一,作为信息技术的基础产业,半导体集成电路持续受到国家政策的扶持,近期从国家层面到地方层面的政策及资本的持续也是持续不断。
  
  国家集成电路产业投资基金总裁丁文武表示,应该把发展存储器芯片作为国家战略来实施。为打破“缺芯之痛”,国内多地开始斥巨资布局存储器芯片研发生产领域。目前,北京、武汉、晋江等地发展存储器产业的积极性高涨,各种资金也加速向这一领域汇集。
  
  充沛的资金支持和巨大的内需市场,以及业已形成的本土化集成电路产业生态,为国内企业进军存储器芯片领域提供了发展基础。但不容忽视的是,存储器芯片面临高技术壁垒和激烈的化竞争,之前就有许多涉足存储器芯片领域的厂商后被迫退出市场的先例。
  
  国内企业在当前新形势下发展存储器产业,不应只是简单追赶,而要更加注重技术原创和市场创新;应做好长期准备,在资金上确保持续投入;另外,更为关键的是,要在立足自身市场特点的基础上追求水平。
  
  清华大学微电子研究所所长魏少军认为,做存储器芯片不能四面开花,一定要集中力量办大事。同时,发展存储器产业一定要遵循市场规律,要淡化“政府主导”的思路,谁的市场能力强,就由谁来主导。魏少军预计,10年之后,中国自有存储器规模应该力争达到250亿美元,在上做到四分天下有其一,在国内占据半壁江山。
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