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【中国智能制造网 企业动态】如果说2018年受关注的晶圆制造厂，无疑是台积电，作为7nm工艺技术的集大成者，台积电在这方面于英特尔和三星。尽管台积电站在“7nm”的风口，但是近日它们遭遇了很多困难，包括台积电由于7nm制程产能爆满，AMD推迟了自己的显卡发布日期；台积电多次出现晶圆污染事故，直接损失数亿美元；正是发生了光阻原料事件，台积电季度营收预期偏低，影响了资本市场对它的预估……
站在“7nm风口”的台积电，计划用百亿现金突出重围
台积电百亿现金突出重围
尽管台积电面临困境，但台积电不怕！众所周知，很多的芯片厂商都在积极推动7nm制程工艺的发展，2019年也将有很多的7nm芯片发布，它们大都是台积电的客户，台积电目前是7nm芯片订单多的厂商。近日，台积电透露，他们将拿出471.4亿元新台币(约合103.37亿元人民币)，作为该公司中国台湾地区员工的现金奖励与分红。
进击中的台积电
据了解，芯片代工行业规模每年达到393亿美元，台积电是其中的公司，每销售一部智能手机其可获得7美元。台积电对于工艺的不断追求，推动了芯片行业的快速发展。
2018年是台积电7nm快速发展的关键一年，因为它们取得了很多可喜的成绩。2018年4月，台积电的7nm工艺投入量产，包括麒麟980、AMD和苹果A12等新型处理器都由台积电代工，在2018年10月台积电又完成了7nm EUV流片。
更高的工艺意味着芯片更高的性价比，与10nm节点相比，7LPP工艺可以减少40%的面积同时提高20%的速度，或降低50%的功耗。根据台积电的数据，2018年台积电7nm工艺完成流片的芯片设计超过50款，预计2019年底将超过100款。不只是7nm，据悉，台积电的的5nm制程将会在2019年年底或2020年初投入量产。
对手也在加速追赶
2018年，三星宣布试产基于EUV技术的7nm芯片，并正在研究如何提升其产能，加速辅助性的IP和EDA基础架构，细化封装能力。三星的这次宣布无疑是在对标台积电，为了追赶台积电芯片设计生态的进程，后者于本月初曾传出过类似的消息。三星声称他们正在对基于16Gbit DRAM芯片的256GByte RDIMM取样，为带Xilinx嵌入式FPGA的固态硬盘做好准备。7nm是这次通告的亮点，标志着EUV掩模检测系统内部开发的一次里程碑式的进展。
为了加速EUV投入到生产，三星开发了自己的系统来比较和修复预期和实际的掩模曝光。VLSI研究员G. Dan Hutcheson将这个系统描述成一个掩模检查系统，因为目前尚不清楚它是否像典型的第三方检测系统那样自动化。7nm节点将在年底达到Grade 1 AEC-Q100汽车标准。在封装方面，三星正在研发一款RDL插入器，能将多达8个HBM堆叠安装在一个设备上，同时，三星还在开发一种将无源器件嵌入基板的工艺，为了给数据中心的芯片节省出空间。
竞争催生出强的台积电
都知道未来7nm工艺会有很大发挥空间，但是目前的生产难度还是很高的，除了光刻机和其它良率问题，成本控制也很难，还有晶圆污染……这些难题等待台积电去解决。虽然目前仅几家有实力和台积电竞争7nm，但是它们的追赶也推动了台积电的努力和创新，相信随着客户的增加，台积电也能将这些问题逐一解决，成为行业的企业。
(原标题：站在“7nm风口”的台积电，计划用百亿现金突出重围)
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