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长江存储首席科学家:我国三维闪存芯片技术实现从落后到赶超

2025-07-07 10:02:53来源:快科技 关键词:长江存储三维闪存芯片阅读量:25917

导读:在长江存储的这十来年,团队卧薪尝胆,一路披荆斩棘,使我国的三维闪存芯片技术从无到有,从落后到赶超,实现了跨越式的发展。
  7月6日消息,据媒体报道,在2025年北大研究生毕业典礼上,长江存储首席科学家、校友霍宗亮作为校友代表发言,为毕业生们送上祝福与建议。
 
  霍宗亮表示,北大自诞生之日起,就肩负着民族复兴的使命;北大人的血液里,流淌着“家国天下”的基因。我们要做的就是不害怕坐冷板凳,不贪求快速的回报,在自主研发的道路上默默奋斗。
 
  在长江存储的这十来年,团队卧薪尝胆,一路披荆斩棘,使我国的三维闪存芯片技术从无到有,从落后到赶超,实现了跨越式的发展。
 
  霍宗亮还称,在任何一个领域,想要取得一番突破性的成就,都要做好吃些苦头的心理准备。
 
  据悉,长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月,总部位于“江城”武汉,是一家集芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品于一体的存储器IDM企业。
 
  2017年10月,长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式,成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月,搭载长江存储自主创新Xtacking架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。
 
  2020年4月,长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功,其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存,拥有发布之时业界最高的I/O速度,最高的存储密度和最高的单颗容量。
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