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总投资20亿元!又一半导体光芯片项目签约:年产值超10亿元

2026-04-09 11:57:15来源:快科技 关键词:半导体光芯片光芯片制造阅读量:26664

导读:上海三菲半导体有限公司长期立足光芯片、电芯片与算法的自主核心技术,4月9日消息,三菲化合物半导体光芯片制造基地项目近日签约落户太仓市城厢镇,项目计划总投资20亿元。
  4月9日消息,三菲化合物半导体光芯片制造基地项目近日签约落户太仓市城厢镇,项目计划总投资20亿元。
 
  其中一期项目总投资10亿元,预计今年8月开工建设、2028年投产运营,达产后可实现年产值超10亿元。
 
  上海三菲半导体有限公司长期立足光芯片、电芯片与算法的自主核心技术,拥有稳定出货800万颗/月高端光芯片的经验。
 
  该项目将主要从事磷化铟(InP)激光器和光电探测器芯片、砷化镓(GaAs)激光器芯片的研发与制造。
 
  同时,打造外延生长、光芯片制造、光电融合一体化产业链,产品主要应用于5G通信、数据中心、激光传感等领域。
 
  值得一提的是,光芯片是光通信、数据中心、激光雷达等系统的核心器件。在AI算力驱动下,800G/1.6T光模块必须使用磷化铟做激光器和探测器,传统硅和砷化镓无法满足高频段需求。
 
  据多家机构预测,2026年全球1.6T光模块出货量有望突破1000万只,磷化铟应用迎来爆发前夜,价格也随之飞涨,2英寸磷化铟衬底价格已从800美元涨至2300美元,涨幅达187%。
 
  从产业全局来看,中国光芯片市场正迎来高速增长期。中国光芯片市场规模持续扩大,2023年约137亿元,2025年预计达159亿元以上,全球占比超过30%,处于快速发展的新周期。
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