Vishay发布500V家族里MOSFET

　　摘要：日前，Vishay Intertechnology,Inc.宣布，推出新的500V家族里MOSFET---SiHx25N50E，该器件具有与该公司600V和650VE系列器件相同的低导通电阻和低开关损耗优点。新器件的低导通电阻和栅极电荷在高功率、高性能的消费类产品、照明应用和ATX/桌面PC机开关电源(SMPS)里将起到节能的重要作用。
　　
　　VishaySiliconixSiHx25N50E500VMOSFET使用第二代超级结技术，为采用高性能平面技术的Vishay现有500VD系列器件补充了率产品。这些2器件的导通电阻为145mΩ，提供TO-220(SiHP25N50E)、TO-247AC(SiHG25N50E)和细引线的TO-220FULLPAK(SiHA25N50E)等多种封装选项，这些低外形封装适用于薄型消费类产品。
　　
　　新的MOSFET具有57nC的超低栅极电荷，栅极电荷与到导通电阻乘积也较低，该参数是功率转换应用里MOSFET的优值系数(FOM)。与Vishay的600V和650VE系列器件类似，500V技术具有低导通电阻和优化的开关速度，能够提高功率因数校正(PFC)、*关正激转换器和反激转换器应用里的效率和功率密度。
　　
　　器件符合RoHS，可承受雪崩和开关模式里的高能脉冲，保证极限值通过*UIS测试。