IR推出1200V Gen8 IGBT系列

2014年11月20日 11:37:23人气：964来源：

　　摘要：整流器推出新一代绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术平台。全新第八代(Gen8)1200VIGBT平台适用于符合行业标准的TO-247封装，并采用IR新一代沟道栅极场截止技术，为工业及节能应用提供性能。
　　
　　全新的Gen8组件提供从8A到高达60A的电流额定值，加上1.7V典型VCE(ON)和10µs短路额定值，能够减少功耗，有效增加功率密度并带来的耐用性。
　　
　　IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR通过开发全新基准技术及*的IGBT硅平台，彰显其数十年来致力提升功率电子技术的承诺。我们期望为所有电动马达实现变频，从而更有效地使用电能，并且绿化环境。”
　　
　　新技术为电机驱动应用提供更理想的软关断功能，通过尽量降低dv/dt来减少电磁干扰和过压情况，有助于提升可靠性及耐用性。该平台的参数分布狭窄，在进行多个IGBT并联时便可带来出色的电流分配。薄晶圆技术则改善了热阻，还可达到175°C的zui高结温。
　　
　　潘大伟指出：“IR的Gen8IGBT平台旨在为工业应用提供的技术。该IGBT平台凭借*的VCE(ON)、的耐用性及*的开关功能，使工业市场所面临的难题迎刃而解。”

关键词：整流器双极晶体管 IGBT

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