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台积电首次公布3nm工艺详情：FinFET技术 2021年试产

2020-04-17 09:13:02来源：快科技关键词：半导体芯片阅读量：23690

导读：随着3nm工艺的临近，人类正在逼近硅基半导体的极限，此前台积电有信心将工艺推进到2nm甚至1nm，但还是纸面上的。

　　尽管2020年半导体行业会因为疫情导致下滑，但台积电的业绩不降反升，掌握着7nm、5nm先进工艺的他们更受客户青睐。今天的财报会上，台积电也首次正式宣布3nm工艺详情，预定在2022年下半年量产。

　　台积电原本计划4月29日在美国举行技术论坛，正式公布3nm工艺详情，不过这个技术会议已经延期到8月份，今天的Q1财报会议上才首次对外公布3nm工艺的技术信息及进度。

　　台积电表示，3nm工艺研发符合预期，预计在2021年进入风险试产阶段，2022年下半年量产。

　　在技术路线上，台积电评估多种选择后认为现行的FinFET工艺在成本及能效上更佳，所以3nm首先发布依然会是FinFET晶体管技术。

　　在3nm节点上，台积电大的对手是三星，后者押注3nm节点翻身，所以进度及技术选择都很激进，将会淘汰FinFET晶体管直接使用GAA环绕栅极晶体管。

　　根据三星的信息，相较于7nm FinFET工艺，3nm工艺可以减少50%的能耗，增加30%的性能。

　　至于量产时间，三星之前计划在2021年量产，不过因为疫情影响，现在也推迟到了2022年，但没有明确是上半年还是下半年，他们与台积电谁能首先发布3nm工艺还没定论。

　　随着3nm工艺的临近，人类正在逼近硅基半导体的极限，此前台积电有信心将工艺推进到2nm甚至1nm，但还是纸面上的，相关技术并没有走出实验室。

　　如果不能解决一系列难题，3nm工艺很有可能是未来CPU等芯片的极限了。

　　原标题：台积电首次公布3nm工艺详情：FinFET技术 2021年试产

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